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IRLHM620TRPBF

IRLHM620TRPBF

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Número da peça
IRLHM620TRPBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PQFN (3x3)
Dissipação de energia (máx.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
26A (Ta), 40A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.1V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
78nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3620pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.5V, 10V
Vgs (máx.)
±12V
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