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IRF8513TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Número da peça
IRF8513TRPBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
1.5W, 2.4W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
8A, 11A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
766pF @ 15V
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