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IRF8252TRPBF-1

IRF8252TRPBF-1

MOSFET N-CH 25V 25A
Número da peça
IRF8252TRPBF-1
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.35V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
53nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5305pF @ 13V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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