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IPW65R110CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Número da peça
IPW65R110CFDFKSA1
Fabricante/Marca
Series
CoolMOS™
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3
Dissipação de energia (máx.)
277.8W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 1.3mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
118nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3240pF @ 100V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
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