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IPI80P04P4L06AKSA1
MOSFET P-CH TO262-3
Número da peça
IPI80P04P4L06AKSA1
Fabricante/Marca
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Dissipação de energia (máx.)
88W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.2V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
104nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6580pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
+5V, -16V
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