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IPI16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
Número da peça
IPI16CN10N G
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
16.2 mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 61µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
48nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3220pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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