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IPG20N10S4L22AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Número da peça
IPG20N10S4L22AATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerVDFN
Potência - Máx.
60W
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-10
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
20A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.1V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
27nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1755pF @ 25V
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