IPD50R650CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Número da peça
IPD50R650CEBTMA1
Fabricante/Marca
Series
CoolMOS™
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Dissipação de energia (máx.)
47W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
342pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
13V
Vgs (máx.)
±20V
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