A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
IPD30N06S223ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Número da peça
IPD30N06S223ATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
32nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
901pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 1803 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deIPD30N06S223ATMA1
IPD30N06S223ATMA1 Componentes eletrônicos
IPD30N06S223ATMA1 vendas
IPD30N06S223ATMA1 Fornecedor
IPD30N06S223ATMA1 Distribuidor
IPD30N06S223ATMA1 Tabela de dados
IPD30N06S223ATMA1 fotos
Preço IPD30N06S223ATMA1
IPD30N06S223ATMA1 Oferta
IPD30N06S223ATMA1 Preço mais baixo
IPD30N06S223ATMA1 Pesquisa
IPD30N06S223ATMA1 Comprando
Ficha IPD30N06S223ATMA1