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IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Número da peça
IPD082N10N3GBTMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 75µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
55nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3980pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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