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IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Número da peça
IPB65R110CFDAATMA1
Fabricante/Marca
Series
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D²PAK (TO-263AB)
Dissipação de energia (máx.)
277.8W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 1.3mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
118nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3240pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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