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BSP321PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223
Número da peça
BSP321PL6327HTSA1
Fabricante/Marca
Series
SIPMOS®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-261-4, TO-261AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-4
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
980mA (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 980mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 380µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
319pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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