BSO615CGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Número da peça
BSO615CGHUMA1
Fabricante/Marca
Series
SIPMOS®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
2W
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-DSO-8
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.1A, 2A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
22.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
380pF @ 25V
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