A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
GP1M023A050N
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Número da peça
GP1M023A050N
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PN
Dissipação de energia (máx.)
347W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
66nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3391pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 888 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deGP1M023A050N
GP1M023A050N Componentes eletrônicos
GP1M023A050N vendas
GP1M023A050N Fornecedor
GP1M023A050N Distribuidor
GP1M023A050N Tabela de dados
GP1M023A050N fotos
Preço GP1M023A050N
GP1M023A050N Oferta
GP1M023A050N Preço mais baixo
GP1M023A050N Pesquisa
GP1M023A050N Comprando
Ficha GP1M023A050N