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GP1M009A020FG
MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
Número da peça
GP1M009A020FG
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Dissipação de energia (máx.)
17.3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.6nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
414pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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