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GP1M004A090FH
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Número da peça
GP1M004A090FH
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Dissipação de energia (máx.)
38.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
900V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
955pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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