GP1M003A080CH
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Número da peça
GP1M003A080CH
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252, (D-Pak)
Dissipação de energia (máx.)
94W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
19nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
696pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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