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GA04JT17-247
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Número da peça
GA04JT17-247
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AB
Dissipação de energia (máx.)
106W (Tc)
Tipo FET
-
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1700V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A (Tc) (95°C)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
480 mOhm @ 4A
Vgs(th) (máx.) @ ID
-
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
-
Vgs (máx.)
-
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