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EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

200 V GAN IC FET DRIVER
Número da peça
EPC2112ENGRT
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
-
Características
-
Formulários
DC-DC Converters
Pacote/Caixa
-
Interface
On/Off
Pacote de dispositivos do fornecedor
-
Tensão - Alimentação
4.5 V ~ 5.5 V
Atual - Saída/Canal
10A
Corrente - Pico de Saída
40A
Proteção contra falhas
-
Configuração de saída
High Side
Tipo de carga
Inductive
Rds ativado (tipo)
32 mOhm
Tensão - Carga
4.5 V ~ 5.5 V
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