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EPC2110ENGRT
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EPC2110ENGRT

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Número da peça
EPC2110ENGRT
Fabricante/Marca
EPC
Series
eGaN®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Potência - Máx.
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Recurso FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
120V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.4A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
80pF @ 60V
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