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EPC2108

EPC2108

MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Número da peça
EPC2108
Fabricante/Marca
Series
eGaN®
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
9-VFBGA
Potência - Máx.
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
9-BGA (1.35x1.35)
Tipo FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Recurso FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V, 100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
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