EPC
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EPC2107
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EPC2107

MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
Número da peça
EPC2107
Fabricante/Marca
EPC
Series
eGaN®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
9-VFBGA
Potência - Máx.
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
9-BGA (1.35x1.35)
Tipo FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Recurso FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
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