EPC2105
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Número da peça
EPC2105
Fabricante/Marca
Series
eGaN®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Potência - Máx.
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
80V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
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