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EPC2100ENG

TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
Número da peça
EPC2100ENG
Fabricante/Marca
EPC
Series
eGaN®
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Embalagem
Tray
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Potência - Máx.
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
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