A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
EPC2100
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Número da peça
EPC2100
Fabricante/Marca
Series
eGaN®
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Potência - Máx.
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 1774 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deEPC2100
EPC2100 Componentes eletrônicos
EPC2100 vendas
EPC2100 Fornecedor
EPC2100 Distribuidor
EPC2100 Tabela de dados
EPC2100 fotos
Preço EPC2100
EPC2100 Oferta
EPC2100 Preço mais baixo
EPC2100 Pesquisa
EPC2100 Comprando
Ficha EPC2100