EPC2047ENGRT
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
Número da peça
EPC2047ENGRT
Fabricante/Marca
Series
eGaN®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Dissipação de energia (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
32A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 7mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
10.2nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1050pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
5V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 1173 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deEPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT Componentes eletrônicos
EPC2047ENGRT vendas
EPC2047ENGRT Fornecedor
EPC2047ENGRT Distribuidor
EPC2047ENGRT Tabela de dados
EPC2047ENGRT fotos
Preço EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT Oferta
EPC2047ENGRT Preço mais baixo
EPC2047ENGRT Pesquisa
EPC2047ENGRT Comprando
Ficha EPC2047ENGRT