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EPC2023

EPC2023

TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Número da peça
EPC2023
Fabricante/Marca
Series
eGaN®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Dissipação de energia (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 20mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2300pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
-
Vgs (máx.)
-
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