EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Número da peça
EPC2012
Fabricante/Marca
Series
eGaN®
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de operação
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Dissipação de energia (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
145pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
5V
Vgs (máx.)
+6V, -5V
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