DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Número da peça
DMN1019UVT-7
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de dispositivos do fornecedor
TSOT-26
Dissipação de energia (máx.)
1.73W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10.7A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
50.4nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2588pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.2V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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