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DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13

MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
Número da peça
DMHC6070LSD-13
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
1.6W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.1A, 2.4A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
11.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
731pF @ 20V
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