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DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Número da peça
DMG6602SVT-7
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potência - Máx.
840mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
TSOT-23-6
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
400pF @ 15V
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