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AON2701_001
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
Número da peça
AON2701_001
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
6-WDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-DFN (2x2)
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
Schottky Diode (Body)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
700pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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