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AOD425_001
MOSFET P-CH TO252
Número da peça
AOD425_001
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252, (D-Pak)
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 71W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9A (Ta), 50A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2200pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±25V
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