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ALD212900APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Número da peça
ALD212900APAL
Fabricante/Marca
Series
EPAD®, Zero Threshold™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Temperatura de operação
0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Potência - Máx.
500mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PDIP
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
10.6V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
80mA
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
14 Ohm
Vgs(th) (máx.) @ ID
10mV @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
30pF @ 5V
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